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光學材料研究(LED/Laser Diode)。

光電元件。

半導體元件。

客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用。

腔體為使用金屬密封圈並可烘烤至150oC。

腔體的極限真空度約為10-10Torr。

客製化的基板尺寸，直徑可達8吋晶圓。

優異的薄膜均勻度小於±3％。

具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源（1/2/4/6坩堝）。

自動鍍膜系統。

具有順序操作或共沉積的多個電子束源。

基板具有冷卻（液態氮溫度低至-70°C）或加熱（溫度800°C）等功能。

可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

結合離子源、濺鍍槍、熱蒸發源、等離子清潔...。