AZ5214E高解像度圖形反轉正/負可改變型光刻膠，特別為lift-off工藝優化。AZ5214E勻膠厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列勻膠厚度為：0.5μm~6μm。
AZ5214E特征：
1) 適用于高分辨率工藝(lift-off工藝)；
2) 適用于正/負圖形；
3) 很寬的膜厚范圍。
AZ 5200E系列光刻膠參考工藝條件：
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)；
曝光 ：I線步進式曝光機/接觸式曝光機；
反轉烘烤 ：110~125℃ 90秒 (DHP):去離子水30秒；
全面曝光 ：310~405nm
(在曝光光源下全面照射)；
顯影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle；
：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；
：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；
清洗 ：去離子水30秒；
后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)；
剝離 ：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化；
產品型號：
型號 | AZ5206E | AZ5214E | AZ5218E | AZ5200NJ |
粘性 | 7mPa | 25mPa | 40mPa | 85mPa |
AZP4620超厚膜，高對比度，高感光度G線標準正型光刻膠，適用于半導體制造及GMR磁頭制造。
特征：
1) 高對比度，高感光度
2) 高附著性，對電鍍工藝高耐受性
3) 多種粘度可供選擇
參考工藝條件：
前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光 ：G線步進式曝光機/接觸式曝光系統
顯影 ：AZ300MIF顯影液23℃ 60~300秒
清洗 ：去離子水
后烘 ：120℃ 60秒以上
剝離 ：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化
產品型號：
型號 | AZ P4210 | AZ P4330 | AZ P4400 | AZ P4620 | AZ P4903 |
粘性 | 49mPa | 115mPa | 160mPa | 400mPa | 1550mPa |
AZ®4500系列 AZ4562
具有粘附力的厚光刻膠
特點：
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻膠，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有優良的粘附性能：
l 優化對所有常見基材的附著力
l 寬廣的工藝參數窗口，可實現穩定且可重復的光刻工藝
l 與所有常見的顯影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 與所有常見的去膠劑兼容（例如AZ100去膠劑、有機溶劑或堿性溶劑）
l 對g，h和i線敏感（約320-440 nm）
l 光刻膠厚度范圍約 3-30微米
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶劑濃度不同，因此可達到的光刻膠膜厚有較大的范圍：
光刻膠型號 | 光刻膠膜厚范圍 | 包裝規格 |
AZ ® 4533 | 轉速為4000 rpm時，膜厚約為3.3 µm；通過改變轉速，膜后可達2.5-5 µm。 | 多規格包裝，如1L、2.5L等 |
AZ ® 4562 | 轉速為4000 rpm時，膜厚約為3.3 µm；通過改變轉速，膜后可達4.5-10 µm；調整旋轉輪廓（中等旋涂速度下短時間旋涂），可達30 µm膜厚。 | 多規格包裝，如1L、2.5L等 |
若光刻膠膜厚度 30 µm？
通常，AZ®4562可以用來涂覆厚度達30微米及以上。然而，在該厚度范圍內，軟烘烤、曝光、顯影等變得非常耗時。此外，如果涂得太厚，AZ®4562也可能在曝光期間形成N2氣泡。 因此，對于厚度大于30 µm的光刻膠膜厚度，強烈建議使用化學放大的AZ®40 XT光刻膠。
顯影液——適用于AZ ® 4500光刻膠
如果可以使用含金屬離子的顯影液，可使用1：4稀釋的KOH基AZ®400K作為顯影液（對于更高的光刻膠膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀釋濃度）。
如果必須使用不含金屬離子的顯影液，我們建議使用基于TMAH基的AZ®326 MIF，AZ®726 MIF或AZ®826 MIF顯影劑（未稀釋）。
去膠劑——適用于AZ ® 4500光刻膠
對于非交聯的光刻膠薄膜，可以使用AZ®100作為去膠劑，DMSO或其他常見的有機溶劑作為剝離劑。 如果光刻膠膜已交聯（例如，在干法蝕刻等離子工藝或離子注入時，> 140°C的高溫步驟時），我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。
EM膠
電子束光刻膠 | |||||
型號 | 光源 | 類型 | 分辨率 | 厚度（um) | 適用范圍 |
SU-8 GM1010 | 電子束 | 負性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高寬比較大的納米結構。 |
HSQ | 電子束 | 負性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率光刻膠，抗刻蝕。 |
HSQ Fox-15/16 | 電子束 | 負性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率光刻膠，抗刻蝕。 |
PMMA(國產) | 電子束 | 正性 | // | // | 高分辨率，適用于各種電子束光刻工藝，的電子束光刻正膠。 |
PMMA（進口） | 電子束 | 正性 | // | // | MicroChem，各種分子量，適用于各種電子束光刻工藝，的電子束光刻正膠。 |
PMGI&LOR Lift-off光刻膠
PMGI&LOR光刻膠可在數據存儲、無線IC和MEMS等各種應用中實現高產量，金屬剝離工藝。 在雙層光刻膠層使用時，PMGI和LOR將工藝范圍擴展到單層光刻膠層所能達到的范圍之外，包括高分辨率金屬化(< 0.25µm),以及很厚(> 4µm)金屬化。這些的性能適用于多種材料，可滿足客戶的各種需要。
材料用途：金屬電梯加工，橋制造，釋放層
PMGI&LOR Lift-off光刻膠材料屬性：
覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜
在TMAH雙疊層一步發展，或KOH開發
高熱穩定性：Tg ~190 C
快速清除和常規抗剝離干凈
0.25µm微米雙層抗蝕成像
產量高，可用于很厚（＞3µm）金屬剝離處理
安智AZ 1500系列正性光刻膠（濕法刻蝕正性薄膠）
AZ ® 1500系列光刻膠在所有常見的濕法蝕刻工藝中均可改善附著力，其橫向分辨率取決于光刻膠的厚度，可達到亞微米級。
光刻膠性能：
>改善所有常見基材附著力
>寬廣的工藝參數窗口，可實現穩定、可重復的光刻工藝
>顯影速度快
>與所有常見的顯影劑兼容（基于NaOH，KOH或TMAH）
>與所有常見的剝離劑兼容（例如與AZ 100去除劑，有機溶劑或堿性溶液）
>對g，h和i線敏感（約320-440 nm）
>抗蝕膜厚度范圍約 0.5-3微米
AZ®1500系列的膠在溶劑濃度，光活性化合物含量以及濕法蝕刻領域的應用方面各有所不同：
光刻膠型號 | 特點 | 包裝規格 |
AZ ® 1505 | AZ®1505的高分辨率和附著力使這種光刻膠成為光掩模生產中蝕刻Cr的常用光刻膠。4000 U / min的轉速時，光刻膠膜厚度約為500 nm；通過轉速的變化，膜厚可達400-800 nm。 | 500ml、1L、5L等多規格包裝 |
AZ ® 1512 HS | 分辨率。AZ®1512 HS的光敏化合物濃度非常高，可以地提高光刻膠的分辨率（顯影速度快，減少了暗蝕）。 4000 U / min的轉速時，光刻膠膜厚度約為1.2 µm；通過控制旋轉速度的變化，膜厚可以達1.0-1.8 µm。 | 500ml、1L、5L等多規格包裝 |
AZ ® 1514H | 優良的附著性能。特殊的樹脂可以進一步提高光刻膠在大多數基板上的附著力。 轉速4000 U / min時，光刻膠膜厚度約1.4 µm；通過旋轉速度的變化，膜厚可達1.1-2 µm。 | 500ml、1L、5L等多規格包裝 |
AZ ® 1518
| 穩定的濕法蝕刻工藝。AZ®1518的光刻膠膜厚度增加，可提高濕法蝕刻工藝中的光刻膠掩模結構的穩定性。 轉速4000 U / min時，光刻膠膜厚約1.8 µm，通過改變旋轉速度，厚度可達1.5-3 µm。 | 500ml、1L、5L等多規格包裝 |
AZ ® 1518 HS | AZ®1518 HS的特點是附著力大大提高，顯影速度非常快。 轉速4000 U / min，光刻膠膜厚約為1.8 µm，通過改變旋轉速度，膜厚可達1.45-2.5 µm。
| 5L |
AZ ® 1529
| AZ®1500抗蝕劑的高光敏化合物濃度使其難以曝光厚度超過3 µm的光刻膠膜，否則可能會形成N2氣泡。 對于厚度超過3 µm的光刻膠膜厚度范圍，我們建議使用AZ®4533或AZ®ECI 3027。
| —— |
AZ1500系列光刻膠顯影液：
如果可以使用含金屬離子的顯影液，推薦使用1：4稀釋的NaOH基AZ®351B（分辨率要求<1 µm時，推薦使用 1：5 1：6稀釋濃度）。
可以使用基于KOH的AZ®400K（也可以用1：4 — 1：6的比例稀釋），但是，其選擇性能較低，如果需要高分辨率或陡峭的光刻膠側壁圖案，則不建議使用。
如果必須使用不含金屬離子的顯影液，建議使用未稀釋的基于TMAH的AZ®326 MIF或AZ®726 MIF顯影液。
去膠劑：
對于非交聯的光刻膠薄膜，可以使用AZ®100去膠劑，DMSO或其他常見的有機溶劑作為剝離劑。 如果抗蝕劑膜已交聯（例如，干法蝕刻等離子工藝或離子注入工藝中 >140°C的高溫步驟），我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。
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