概括
德國Micro Resist公司創立于1993年.公司生產的高性能各種用于微納制作的光刻膠，除了生產用于i、g和h線的光刻膠以外，還有電子束刻蝕膠和納米壓印膠以及專門用于光學波導制作的光膠可供選擇。
品牌 | 產地 | 型號 | 特點 | |
Micro Resist | 德國 | mr-I 7000E系列 | Tg = 60℃ 優異的成膜質量 由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間 壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |
mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃ 優異的成膜質量 由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間 壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |||
mr-I PMMA 35k/75k系列 | Tg = 105℃ 優異的成膜質量 低分子量從而實現高效的流動性 壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |||
mr-I T85系列 | Tg = 85℃ 優異的成膜質量 壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠 非極化熱塑性、具有優異的紫外和光學透過率，高化學穩定性 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |||
mr-I 9000E系列 | 熱固化之前Tg = 35℃ 優異的成膜質量 | |||
mr-NIL 6000系列 | 光化學固化之前Tg = 40℃ 優質的固體光膠薄膜 接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行 非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠 | |||
mr-UVCur06 | 旋涂使用 優質的成膜質量和膠厚均一性 室溫加工處理 由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間 低劑量紫外曝光快速固化 可獲得優于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除 寬帶或i線曝光 |
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