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光譜橢偏儀 橢圓偏光儀 橢圓偏振儀 橢偏儀 光譜橢偏儀SE系列

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:SE200
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:橢偏儀
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-09-16 10:23:00
  • 瀏覽次數(shù):14
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:115條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2015-11-20
  • 最近登錄:2022-09-16
  • 聯(lián)系人:嚴經(jīng)理
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產(chǎn)品簡介

概括橢圓偏光法是一種在光束與探測樣本反應(yīng)后利用偏振態(tài)變化的技術(shù)

詳情介紹

概括

橢圓偏光法是一種在光束與探測樣本反應(yīng)后利用偏振態(tài)變化的技術(shù)。典型的橢圓偏振儀設(shè)置包括光源,偏振光學(xué)器件(如偏振器,分析器,相位延遲器或稱為補償器),樣品臺,檢測單元,入射角變化裝置,用于數(shù)據(jù)采集和建模的計算機和軟件。與反射計不同,橢圓計參數(shù)(Psi和Del)總是在非法向入射角處獲得。通過改變?nèi)肷浣牵色@得更多的數(shù)據(jù)集,這將有助于改進模型,減少不確定性,提高模型輸出能力。因此,可變角度橢偏儀比固定角度橢圓偏振儀強大得多。此外,通過利用寬帶光源,可獲得許多波長點的波長范圍內(nèi)的光譜數(shù)據(jù),因此可以極大地提高光學(xué)性能的測量精度。通過實施*的探測器陣列已經(jīng)克服了光譜數(shù)據(jù)的測量速度,可同時采集數(shù)千個數(shù)據(jù)。利用這種配置能夠收集更多數(shù)據(jù)集,可利用軟件內(nèi)置的強大功能來分析復(fù)雜的層堆棧。

有兩種方法可以手動或自動更改入射角度。這兩種角度調(diào)整模型,通過按照精確預(yù)設(shè)的插槽(手動測角儀,SExxxBM)以5度間隔移動,手動調(diào)整角度,以及具有0.001度分辨率(SExxxBA)的電動精密測角儀。此外,測角儀采用垂直布局設(shè)置,樣品可水平放置,處理樣品時更安全。通過可靠且足夠的原始數(shù)據(jù)集建模獲,可獲得膜的許多特性,例如膜厚度,其光學(xué)常數(shù),界面,孔隙率,甚至成分。從這個意義上說,高級軟件是高性能SE工具的條件。我們開發(fā)了用于系統(tǒng)設(shè)置的TFProbe 3.X版軟件,模擬,測量,分析,數(shù)據(jù)管理和2D / 3D圖形演示,一體化。


光譜橢偏儀特征:

?基于Window軟件,易于操作;

?*的光學(xué)設(shè)計,實現(xiàn)系統(tǒng)性能;

?高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;

?基于陣列的探測器系統(tǒng),確保快速測量;

?用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

?能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;

?系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫;

?高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);

?三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡易用戶模式;

?靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測試;

?強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;

?可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;

?系統(tǒng)全自動校準和初始化;

?直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學(xué)元件;

?精確的高度和傾斜程度調(diào)整;

?適用于許多不同類型的不同厚度的基材;

?各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;

?2D和3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;


光譜橢偏儀應(yīng)用:

?半導(dǎo)體制造(PR,氧化物,氮化物 )

?液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap )

?法醫(yī)學(xué),生物學(xué)材料

?油墨,礦物學(xué),顏料,調(diào)色劑

?制藥,科研

?光學(xué)涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5

?半導(dǎo)體化合物

?MEMS / MOEMS中的功能薄膜

?無定形,納米和硅晶圓

?太陽能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS

光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):

型號 SE200 (DUV-Vis) SE300 (Vis) SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)
探測器類型CCD或CMOS陣列CCD或CMOS陣列CCD或CMOS和InGaAs陣列CCD或CMOS和InGaAs陣列
波長范圍(nm)190至1100370至1100370-1700190-1700
波長點測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制)
波長分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.01至3nm0.01至3nm
數(shù)據(jù)采集??時間100毫秒到10秒,用戶自定義
入射角范圍20至90度



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