中文名 | 氧氣 |
別名 | 氧氣() |
CAS | 7782-44-7 |
EINECS | 231-956-9 |
化學式 | C8H14N3O7P |
分子量 | 295.186 |
inchi | InChI=1/C8H14N3O7P/c9-5-1-10-3-11(5)8-7(13)6(12)4(18-8)2-17-19(14,15)16/h1,3-4,6-8,12-13H,2,9H2,(H2,14,15,16)/t4-,6-,7-,8-/m1/s1 |
密度 | 2.16g/cm3 |
熔點 | -218℃ |
沸點 | 774°C at 760 mmHg |
閃點 | 421.9°C |
蒸汽壓 | 3.27E-25mmHg at 25°C |
折射率 | 1.776 |
物化性質 | 性狀 無色透明、無臭、無味的氣體。 |
產品用途 | 用于金屬的切割和焊接、煉鋼、醫療、國防、電子、化工、冶金等部門 |
危險品標志 | O - 氧化性物品 |
風險術語 | R8 - 與可燃物料接觸可能引起火災。 |
安全術語 | S17 - 遠離可燃性物質。 |
危險品運輸編號 | UN 1014/1072 |
氧氣性質：
常溫常壓下為無色、無臭，無味氣體。氧不可燃，但助燃。d0（氣體）1. 429g/L; d-183（液體）1.14g/rnL;熔點-218.4℃；沸點- 182. 96℃，臨界溫度一118. 95℃；臨界壓力50. 14atm;汽化熱50. 9cal/g (-183℃)(lcal=4.2J)。在常壓下冷至-182.9℃時即為天藍色透明液體。
氧氣制法：
以空氣分離裝置制得的氧為原料，經兩級精餾后得99.5%以上的氧，再進入高純氧塔，經過兩次低溫精餾后得99. 995%以上的高純氧。
氧氣用途：
高純氧氣體主要用于半導體器件的熱氧化、擴散、化學氣相沉積及等離子蝕刻等工藝，還可用于光導纖維、彩色顯像管制造并作標準氣、校正氣和零點氣等。作為氧化源與產生高純水的反應劑。對于MOS場效應器件，氧化層必須相當致密，采用高純氧氣進行干法氧化，其氧化層結構致密，正電荷少，耐壓高，能滿足生產需要。與四氟化碳混合，可用于等離子刻蝕。
氧氣安全性：
助燃壓縮氣體，無毒。但暴露在高濃氧中，對肺和中樞神經有不良影響。所有可燃物質、特別是油和油脂，不得與高濃度氧接觸。對所有可能的著火源，都必須加以封閉或撤離。置于陰涼處，嚴禁與酸、堿、油脂、易燃易爆物品及高溫熱源、電火花接近，并避免撞擊。
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