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碳化硅陶瓷的用途
1、化工、冶金
碳化硅材料對鐵水、熔渣和堿金屬的侵蝕有高的抗力，
和高導熱和損的特性，70年代至90年代初期。
已有65％以上的大型高爐采用了氮化硅結臺碳化硅材料作為爐身材料，
使高爐壽命延長了2096—40％。在冶煉金屬鋁、銅和鋅時，也大量的采用了各種碳化硅材料作為爐襯或坩堝。
在化工、冶金工業中，為了充分利用各種熱爐廢氣中的熱量，經常使用陶瓷熱交換器預熱各種氣體或液體。
2、能源環保
將煤氣在高溫下直接凈化，
可充分利 Hexolov熱交換器用煤氣的顯熱，
比之常溫凈化可大大提高熱效率，將高溫凈化后的煤氣直接用于燃氣輪機發電，
可以大大提高供電效率，減低有害物的排量
，節約用水。
現代燃煤發電系統中燃氣輪機設備的使用與環境保護的標準都要求實現高溫燃氣直接除塵。
3、工業窯爐
輕工、建材、電子等行業大量使用各種工業窯爐，
采用不同材質碳化硅窯具的組合，可以大幅度減少窯具重量及其所占據的空間
，提高能量利用率，減輕工人勞動強度。
同時由于48碳化硅部件的抗熟沖擊性能，燒成升溫速度可以加快。
SiC陶瓷不僅具有優良的常溫力學性能，如高的抗彎強度、
優良的抗氧化性、良好的性、高的抗磨損以及低的摩擦系數，
而且高溫力學性能(強度、抗蠕變性等)是已知陶瓷材料中的。
熱壓燒結、無壓燒結、熱等靜壓燒結的材料，
其高溫強度可一直維持到1600℃，是陶瓷材料中高溫強度的材料。
抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中的。別名金剛砂。
碳化硅(SiC) [1] 是共價鍵很強的化合物，其Si--C鍵的離子型僅12%左右，
因此，它也具有優良的力學性能、優良的抗氧化性、
高的抗磨損性以及低的摩擦系數等。碳化硅的特點是高溫強度高
，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400攝氏度時強度將降低，
而碳化硅在1400攝氏度時抗彎強度仍保持在500 ~600MPa的較高水平
，因此其工作溫度可達1600 ~ 1700攝氏度。
再加上碳化硅陶瓷的熱傳導能力也較高，
在陶瓷中僅次于氧化鈹陶瓷，
因此碳化硅已經應用于高溫軸承、
板、噴嘴、高溫耐蝕部件以及高溫和高頻范圍的電子設備零部件等領域。
稀土氧化物如Y2O，
同樣可以作為碳化硅陶瓷的燒結助劑，
通過液相燒結的途徑獲得致密的碳化硅。
由于其液相燒結是通過玻璃相的形成來降低孔隙率，
提高致密度的，因此，玻璃相的特性對燒結所得微觀結構影響很大。
性能編輯 語音
具有優良的力學性能、優良的抗氧化性、
高的抗磨損性以及低的摩擦系數等。
SiC陶瓷的缺點是斷裂韌性較低，即脆性較大，
為此，以SiC陶瓷為基的復相陶瓷，
如纖維(或晶須)補強、異相顆粒彌散強化、
以及梯度功能材料相繼出現，改善了單體材料的韌性和強度
碳化硅粉
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的是將石英砂與焦炭混合，
利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，
加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。
例如，它所具有的性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，
它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。
制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：
金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。
在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，
經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，
制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。
高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是的碳化硅電爐，
其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：
電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，
一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。該電爐所用的燒成俗稱：埋粉燒成。
它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），
爐料達到1450℃時開始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時形成），且放出CO。
然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的Si又會與爐料中的C生成SiC。
每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，
大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，
再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。
[3]
高溫煅燒后的爐料從外到內分別是：未反應料（在爐中起保溫作用）、
氧碳化硅（半反應料，主要成分是C與SiO)、粘結物層（是粘結很緊的物料層，
主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽）、
無定形物層（主要成分是70%～90% SiC，而且是立方SiC 即 β-sic，
其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽）、
二級品SiC層（主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC，
但結晶體較小、很脆弱，不能作為磨料）、一級品SiC（(SiC含量<96%，而且是六方sic即口一sic的粗大結晶體）、
爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，
將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，
而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、
粗碎、細碎、化學處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。
要制成碳化硅微粉還要經過水選過程；要做成碳化硅制品還要經過成型與結燒的過程。
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