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　　銦砷化鎵相機是Photonic Science科學級InGaAs相機和SWIR相機,提供640x512像素分辨率分辨率和900-1700nm光譜范圍,廣泛用于激光光束分析,半導體檢測,高光譜成像,在線檢測,弱光成像,太陽能電池面板檢測.

　　銦砷化鎵相機在太陽能電池面板檢測領域非常成功,非常容易看到裂縫等缺陷因為硅在1.1微米附近具有較高透過率,這樣InGaAs相機能夠捕捉到太陽能電池面板的微弱電致發光和光致發光光譜Photoluminescence.InGaAs相機能夠在室溫環境下實現截止波長到1.7μm~2.0μm范圍,非常適合夜視和紅外檢測.

　　銦砷化鎵相機應用

　　光譜時域OCT成像

　　太陽能電池面板檢測

　　科學研究成像

　　太陽能硅片檢測

　　天文學研究

　　半導體檢測

　　TIRF超分辨率顯微成像

　　高溫爐溫度監測

　　共聚焦顯微鏡細胞成像

　　工業熱成像

　　化學發光成像

　　成像光譜

　　DeSrmpatoelogcic timragoingscopy

　　組織紅外顯微成像

　　單分子成像

　　激光光束質量分析

　　細胞運動成像/活細胞成像

　　弱光成像和距離選通紅外成像

　　高光譜成像

　　電子顯微成像

　　生物芯片讀取

　　光譜儀器

　　銦砷化鎵相機規格參數

　　探測器：InGaAs陣列

　　分辨率:640 (h) x 512 (v)

　　像素大小: 25 x 25像素

　　像素尺寸: 16 x 12.8 mm

　　成像速度: 22 fps 滿分辨率

　　低增益模式相應: 1.3mV / 電子

　　高增益模式響應: 64mV /電子

　　量子效率:High QE (75%)

　　制冷:單級peltier制冷實現較低暗電流

　　暗電流: 3,000 el/pixel/sec @ -30 degree C (2x every 7 degree C)

　　讀取噪音: 約為120 el, ROI limited, <100 el with interpolation noise reduction

　　外殼: 堅固設計

　　接口：C-mount