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鍺半導體器件用作二極管、晶體三極管及復合晶體管、鍺半導體光電器件作光電、霍耳及壓阻效應的傳感器，作光電導效應的放射線檢測器等，廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設備中，鍺管特別適用于高頻大功率器件中，且在強輻射與－40℃下運轉正常；Ge－Si與Ge－Te作溫差發電用于宇航、衛星與空間站的啟動電源等。
鍺在半導體器件上的應用已大部分被硅取代，僅在高頻大功率器件上有一定用量，其他以光電雪崩二極管用量較大。
用鍺作為襯底制作的GaAs/Ge太陽能電池，其性能與GaAs/GaAs電池接近，機械強度要更高，單片電池面積更大。在空間應用環境下,抗輻射閾值比硅電池高，性能衰退小，其應用成本接近于同樣功率的硅電池板。
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