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高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應(yīng)用下，我們需要考慮不同封裝的石英晶振的電性能參數(shù)變化對(duì)系統(tǒng)的影響。

1. 晶振的發(fā)展趨勢
近年來，晶振一直朝著小型化發(fā)展,例如便攜式設(shè)備：

SMD 2.0x1.6mm尺寸: CMOS輸出時(shí)鐘振蕩器;
SMD 2.5x2.0mm尺寸：LVDS輸出時(shí)鐘振蕩器 ; HCSL輸出時(shí)鐘振蕩器 ;
同時(shí)具備小尺寸和低功耗的晶振適合在移動(dòng)設(shè)備和穿戴設(shè)備中使用。

低功耗晶振：

1.2V低電壓MHz晶體振蕩器；
100μAKHz晶體振蕩器。

2. 起振時(shí)間
起振時(shí)間主要由晶體的諧振電阻與負(fù)性阻抗共同決定。

晶體的諧振電阻越小，起振越快；
負(fù)性阻抗大小由振蕩IC和負(fù)載電容CL決定，負(fù)載電容與負(fù)性阻抗大小成反比。
CL值大→負(fù)性阻抗較小→起振較慢
CL值小→負(fù)性阻抗較大→起振較快

3. 相位噪聲/抖動(dòng)
建議選用諧振電阻較小的晶片，才能給CL保留調(diào)整空間，改善近端和遠(yuǎn)端低相位噪聲需求。

起振較慢→電路相對(duì)穩(wěn)定→遠(yuǎn)端相噪好 →不利于近端相噪
起振較快→近端相噪好→但是牽引量較大→線路不穩(wěn)定→頻率漂移較大→不利遠(yuǎn)端相噪

4. 其它：電壓/電流/功耗...等
隨著小型化低功耗發(fā)展趨勢，電源電壓，電流，體積，功耗相應(yīng)減小，驅(qū)動(dòng)能力變?nèi)酢?/span>

如果電子設(shè)備需要驅(qū)動(dòng)能力比較強(qiáng)的振蕩器，盡量選擇體積大，電壓高，避免選擇電壓高低兼容晶振；
如果既要體積小又要驅(qū)動(dòng)能力相對(duì)較強(qiáng)，可選用負(fù)載能力比較高的振蕩IC，同時(shí)選擇高Q晶體。需要注意的是：體積越小，電壓也要隨之降低，防止晶體激勵(lì)功率過高。