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1.巨大沖擊：生產(chǎn)過程中存在下降現(xiàn)象，只有結(jié)晶震才會造成外部的巨大沖擊。晶振芯片比較薄，所以要輕放。

2.激勵功率過大：芯片本身厚度薄，如果激勵功率過大，內(nèi)部石英芯片可能會破損，導(dǎo)致靜止。

3.假焊接：焊接過程中會產(chǎn)生虛擬焊接，即假焊接，使晶振不能通電。

4.焊接溫度太高：晶體在切割腳和焊接錫時容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，理論來說晶體的耐高溫能力非常強(qiáng)，幾百上千度都是沒有問題的，但是晶振的兩側(cè)則是鍍銀之后焊接到連接頭上的。因此，焊接錫溫度太高，作用時間過長，會影響晶體，因此晶體容易處于臨界狀態(tài)，發(fā)生振動時會出現(xiàn)呆滯現(xiàn)象，甚至停止。

5.連接線路：晶振焊接后，焊接注釋連接線路，造成短路現(xiàn)象。

6.泄漏檢查：泄漏檢查過程中，在酒精加壓的環(huán)境下，石英晶體諧振器容易產(chǎn)生外殼現(xiàn)象。也就是說，振動時，芯片容易與外殼接觸，因此晶體發(fā)生時容易振動或停止振動。

7.密封性不好：封存時，晶體內(nèi)部要求真空充氮，如果發(fā)生壓封不良，即晶體密封性不好，在酒精加壓的條件下，它會顯示為漏氣，這稱為雙重泄漏，并且會導(dǎo)致停止。

8.頻率移動超晶體偏差范圍：晶體頻率發(fā)生頻率移動，超過石英晶體偏差范圍時，晶體的中心頻率不會被捕獲，芯片不會振動。

9.功能負(fù)荷降低Q值：功能負(fù)荷降低Q值(即質(zhì)量因素)，降低晶體的穩(wěn)定性，容易受到周圍主動部件的影響，出現(xiàn)不穩(wěn)定狀態(tài)時萎靡不振。

10.針腳與外殼連接：接錫時，如果錫絲通過電路板上的小孔穿透，使針腳與外殼連接，或者晶體在制造過程中與底座上的針腳上的錫點(diǎn)和外殼連接發(fā)生單次泄漏，則可能會發(fā)生短路，導(dǎo)致停頓。

11.輻射損傷：X射線，宇宙射線等會強(qiáng)烈的輻射可能會導(dǎo)致石英晶格被破壞，從而導(dǎo)致晶體受損。如果要用于、航天等對輻射比較關(guān)心的領(lǐng)域，建議采用SC切型的石英晶片（普通的為AT切型），甚至加上必要的屏蔽措施。

12.振蕩信號強(qiáng)：如果振蕩激勵信號過于強(qiáng)，極有可能會導(dǎo)致晶體損壞，可稱之為所謂過載。因此，晶振廠家在運(yùn)輸或使用晶振的途中需要特別注意，以免造成晶振的損壞從而導(dǎo)致一些不必要的損失。在存放時要避開潮濕、暴曬、溫度過高、溫度過低以及帶有靜電有輻射的的儲存環(huán)境。在焊接時要嚴(yán)格按照晶振廠家的使用規(guī)范去焊接才能避免晶振損壞或不良。