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研究機(jī)構(gòu)Linley Group發(fā)布芯片產(chǎn)業(yè)報(bào)告指出，英特爾（Intel）開發(fā)新制程落后，原有的芯片制造技術(shù)優(yōu)勢(shì)也幾乎蕩然無存。

分析師Linley Gwennap寫說，英特爾的10納米制程一再延誤，導(dǎo)致沖刺下一代制程進(jìn)度現(xiàn)不僅落后給臺(tái)積電，三星與其伙伴GlobalFoundries也準(zhǔn)備超車。

據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃于今年6月份開始量產(chǎn)7nm FinFET芯片，屆時(shí)臺(tái)積電將實(shí)現(xiàn)7nm芯片99%的，而高通、海思和Xillinx都是臺(tái)積電的大客戶，7nm這項(xiàng)工藝的收益將在第二季度開始體現(xiàn)。

三星已經(jīng)完成了7nm制程技術(shù)的開發(fā)，并且在這一制程技術(shù)中使用了極紫外線曝光設(shè)備（EUV）。最初，該公司預(yù)計(jì)7 納米制程技術(shù)的開發(fā)將在2018 年下半年完成，但是，未來追趕臺(tái)積電的腳步，現(xiàn)在已經(jīng)提前半年完成。有消息指出，高通正準(zhǔn)備向三星發(fā)送其新移動(dòng)芯片樣品。

報(bào)告分析各大廠生產(chǎn)的芯片電路密度，以及其它工藝技術(shù)指標(biāo)，結(jié)論是其它競(jìng)爭(zhēng)者所采用的技術(shù)水平均已逼近英特爾，比如臺(tái)積電的7納米與英特爾10納米幾乎沒有差距。報(bào)告指出，三大競(jìng)爭(zhēng)廠商在采購(gòu)下一代微影技術(shù)（lithography）設(shè)備均比英特爾積極，不排除三者2021年都將超越英特爾。

英特爾護(hù)城河被對(duì)手一一攻破，未來營(yíng)收展望堪憂。日前有消息傳出，蘋果2020年于部分Mac電腦以自家研發(fā)的處理器取代英特爾處理器，恐沖擊英特爾營(yíng)收。