國家存儲器基地項目芯片生產機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段。長江日報記者了解到，設備搬入、調試將耗費3個月左右的時間，然后開始小規模試產，如順利，今年四季度，中國擁有自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實現量產。
去年9月，國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房提前一個月實現封頂；如今，又提前20天實現了芯片生產機臺搬入。紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國介紹，生產機臺搬入對生產環境的要求很高，必須放在無塵室中并且提供相應的保障支持。因此，機臺搬入說明廠房內部的潔凈室、電氣設備等內部裝修已經陸續完成，這比廠房封頂的技術含量更高，難度更大。
9個月建設工廠，7個月實現機臺搬入，建設節點不斷提前。國家存儲器基地項目上，一度達到同時有6000人施工的規模，晝夜奮戰。生產機臺搬入是重要節點，據了解，當天搬入的設備只是臺，隨后要陸續從世界各地搬入各類高精密的芯片生產機臺進行調試，數量達2000多臺。設備調試完成后，才可以規模量化生產芯片。
按照計劃，今年四季度，設備有望點亮投產。紫光集團執行副總裁、長江存儲執行董事長高啟全透露，今年將量產的產品，是去年成功研發的中國首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆耗資10億美元、由1000人團隊歷時2年自主研發的芯片，獲得中國電子信息博覽會（CITE2018）金獎。這是我國在制造工藝上國際水平的主流芯片，將有望使中國進入存儲芯片梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。
“但這僅是剛剛開始。”高啟全接受訪問時措辭謹慎。他介紹，32層三維NAND閃存芯片量產后，不會上很高的產量，“更主要的是完成自主技術積累，若技術不夠好，不會硬沖產量”。
目前，存儲器芯片技術主要掌握在韓、日、美等國企業手中，屬于相對壟斷市場。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開始大規模量產。這些技術和產品，將推動以TB為單位的固態盤以及128GB以上的手機閃存迅速普及。
有數據顯示，2017年閃存芯片銷量超過500億美元，同比增加45%，預計2020年銷量超過1000億美元。中國市場進口超過半數，中國企業自主生產的存儲芯片基本上是空白。隨著需求量的激增，近3年來，存儲芯片的價格不斷上漲。
“板凳要坐十年冷。”趙偉國說，未來的道路還很艱難漫長，要堅定信心、保持定力，“我們希望5年站穩腳跟，別人沒法把我們打出去，但真正的成功需要10年時間”。
高啟全接受媒體采訪時也有類似表述，“前五年追趕技術，后五年增加產量”。他說，目前長江存儲完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發，也將投入量產，但產量和成本還不足以影響市場。“后發優勢是不會走太多冤枉路，速度更快一點，但別人也在跑，追上去仍要花力氣、花時間”，高啟全說，64層閃存產品研發也在迅速進行，力爭2019年底實現產能爬坡量產，這樣，就能把與大廠的差距縮短在2年以內，“希望用5年左右接近水平”。（記者肖娟 通訊員劉剛建）
