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近日，基于對光柵衍射及其在超高精度干涉測距與成像應用的深入研究，清華大學深圳國際研究生院李星輝副教授、王曉浩研究員團隊應邀撰文綜述光刻機光柵定位與套刻測量技術發展。 

首先，在目前光刻機晶圓臺的亞納米級定位需求中，光柵干涉測量具有較大優勢，測量分辨率可達17pm，長期測量穩定性可達0.22nm，采用先進的二維平面光柵可以實現空間六自由度測量，是14nm及以下光刻工藝制程的重要技術路線。其中需要突破的關鍵技術包括多自由度與式測量原理、大面積二維平面計量光柵的制作與表征、大規模并行數據的同步處理等。其次，圍繞評價多層光刻工藝之間對準、監控光刻工藝良率的關鍵參數“套刻誤差”，基于衍射技術的套刻測量技術（DBO）具有亞納米級的測量精度，逐漸成為14nm以下制程光刻機的套刻誤差測量中有競爭力的技術路線。但是DBO技術路徑的完善，還面臨測量精度穩定性提升、測量量值的溯源技術、測量效率的提升等技術與工程難題。