巨磁電阻傳感器芯片發展史
1988年，法國巴黎大學Fert研究小組在納米結構的磁性多層膜中，發現膜電阻隨外加磁場發生巨大變化的現象，較傳統的磁各向異性磁電阻（AMR）大一個數量級以上，稱之為巨磁電阻（GMR）效應。其物理機制與傳導電子自旋散射相關。
由于GMR效應潛在的巨大實用價值，激起了世界范圍的研究熱潮。如今不僅GMR效應龐磁電阻(CMR）、隧道結磁電阻（TMR）、巨磁阻抗（GMI）等各種磁效應的研究都十分踴躍，并逐步在實用化方面取得一些成就。
伴隨以上效應的發現和廣泛研究，導致了一門新學科的產生，即磁電子學。該學科目前已有較多的研究領域，僅就與GMR效應相關的內容而言，即有OMR（正常磁電阻）、PMR（順行磁電阻）、GMR（巨磁電阻）、CMR（龐磁電阻）、TMR（隧道結效應磁電阻）等，以及與電感、阻抗相關的GMI（巨磁阻抗）效應，內容十分豐富，性能特點十分突出。人們期待磁電子學將成為微電子學的取代者。
巨磁電阻（GMR）傳感器芯片主要是利用具有巨磁電阻效應的磁性納米金屬多層薄膜材料通過半導體集成工藝與集成電路相兼容的一類元器件。巨磁電阻效應自發現以來即引起各國企業界及學術界的高度重視，GMR效應已成為當前凝聚態物理5個熱點之一。
1994年，美國的NVE公司首先實現巨磁電阻（GMR）效應的產業化，并銷售巨磁電阻磁場傳感器。1998年，美國的IBM公司成功地把GMR效應應用在計算機硬盤驅動器上，研制出巨磁電阻（GMR）磁頭。
巨磁電阻(GMR)傳感器芯片由于其靈敏度高、熱穩定性好而可取代霍爾及磁阻（AMR）元件，進而廣泛應用在信息、電機、電子電力、能源管理、汽車、磁信息讀寫及工業自動控制等領域。
