
ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。
SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度),並提供高品質的薄膜。
| 應用領域 | 腔體 |
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| 配置和優點 | 選件 |
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北京瑞科中儀科技有限公司
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簡要描述:感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。
SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度),並提供高品質的薄膜。
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