技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ST |
| 型號： | STF18NM60N |
| 封裝： | TO-220-3 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 3000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 650 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 13 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 260 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 25 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3 V |
| Qg-柵極電荷： | 35 nC |
| Pd-功率耗散： | 30 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STF18NM60N |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 40 ns |
| 上升時間： | 22 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 50 ns |
| 典型接通延遲時間： | 20 ns |
| 單位重量： | 330 mg |
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